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ENI21 RF MOSFET di POTENZA TRANSISTOR
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
ENI21
Tipo
MOSFET
Marca
ODEC
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio
Altri attributi
Tipo di montaggio
SMD
Descrizione
RF MOSFET
Punto d'origine
Philippines
Contenitore/Involucro
CERMAIC
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
STANDARD
Temperatura di funzionamento
STANDARD
Resistenza-Base (R1)
STANDARD
Resistenza-Emettitore Base (R2)
STANDARD
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
STANDARD
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
STANDARD
Rds On (Max) @ Id, Vgs
STANDARD
Vgs (th) (Max) @ Id
STANDARD
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
STANDARD
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
STANDARD
Frequenza
STANDARD
Corrente Nominale (Ampere)
STANDARD
Figura di rumore
STANDARD
-Tensione Nominale
STANDARD
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
STANDARD
Vgs (Max)
STANDARD
Tipo IGBT
STANDARD
Type
Field-Effect Transistor
Imballaggio e consegna
Pacchetto
IMBALLAGGIO STANDARD
Orificio
SHENZHEN
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
200 Parte/parti per Week
Tempi di consegna
| Quantità (parti) | 1 - 100 | > 100 |
| Tempo previsto (giorni) | 5 | Da negoziare |
Personalizzazione
Imballaggio su misura
Min. ordine: 100000000
Per ulteriori dettagli sulla personalizzazione, invia messaggio al fornitore
Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore
2 - 99 parti
37,66 €
>= 100 parti
32,95 €
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