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Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.
1 yr
CN
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
IRLR3103TRPBF
Tipo
MOSFET
Marca
JSMSEMI
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio
Altri attributi
Tipo di montaggio
SMD
Descrizione
Mosfet 80A 30V
Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
Da 252
Tipo
SMD
Temperatura di funzionamento
-55-175C
Serie
Girlr
D/c
2024
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Produttore originale
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
Mosfet 80A 30V
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
30V
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
0
Potenza-Max
205W
Temperatura di funzionamento
-55-175C
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Tipo FET
MOS
FET Caratteristica
Standard di
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
30V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
0
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30V
Vgs (th) (Max) @ Id
0
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
0
Frequenza
0
Corrente Nominale (Ampere)
0
Potenza di Uscita
205W
-Tensione Nominale
30V
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
30V
Vgs (Max)
30V
Tipo IGBT
MOS
Configurazione
Doppio, Fonte Comune
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
0
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
30V
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
0
Consumo di corrente (Id)-Max
0
Tensione
30V
Tensione-Uscita
30V
-Tensione di Offset (Vt)
30V
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
0
Corrente-Valle (Iv)
0
Corrente di Picco-Picco
0
Applicazioni
Fornitore di energia
Tipo di transistore
MOS
Imballaggio e consegna
Unità di vendita:
Multiplo di 2500
Dimensione del pacchetto per lotto:
38X38X5 cm
Peso lordo per lotto:
1.200 kg
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