SHIJI CHAOYUE MOSFET T9N50 9 n50 N-CH 500V 9A a-220 AOT9N50

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Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

AOT9N50

Tipo

MOSFET

Marca

Original Brand

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

SMD/SMT, Foro passante

Descrizione

STANDARD, MOSFET N-CH 500V 9A a-220

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

Tipo

TRANSISTOR RF

Temperatura di funzionamento

D/c

Applicazione

Croce di Riferimento

品名

AOT9N50

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

-, Canale N

FET Caratteristica

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

-, 4.5V @ 250uA

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Configurazione

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Numero di parte

AOT9N50

Scarico alla tensione sorgente

500V

Attuale @ 25 °C

9A (Tc)

Gate Charge @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso @ Vds

4.5V @ 250uA

Dissipazione di potenza (Max)

192W (Tc)

Pacchetto dispositivo fornitore

Da 220

Azienda

SHIJI CHAOYUE

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