MOS transeisotor MOSFET di alta qualità N-CH 60V 120A TO220AB BUK752R7-60E,127

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Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

BUK752R7-60E,127

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

SMD/SMT

Descrizione

STANDARD, MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

Fino a-220-3

Tipo

TRANSISTOR RF, Transistor ad effetto di campo

Numero di parte

BUK752R7-60E,127

Tipo di FET

Canale N

Scarico alla tensione sorgente

60V

Attuale @ 25 °C

120A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge @ Vgs

158nC @ 10V

Capacità di ingresso @ Vds

4V @ 1mA

Dissipazione di potenza (Max)

349W (Tc)

Azienda

SHIJI CHAOYUE

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