25 n50 25 n60 22 n60 23 n60 Transistor Mosfet canale N 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) DIP TO-220AB SIHP25N50E-BE3

Name: 25 N50 25 N60 22 N60 23 N60 Transistor Mosfet Canale N 500 V 26a (tc) 250w (tc) Dip To-220ab Sihp25n50e-be3 - Buy Mosfet,Transistor,Component Product on Alibaba.com
Brand: Ali
SKU: 1600676942017

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

SIHP25N50E-BE3

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Attraverso il Foro

Altri attributi

Descrizione

Mosfet di alimentazione Transistor

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

TO-220-3

D/c

Nuovo

Applicazione

Mosfet di alimentazione Transistor

Croce di Riferimento

SIHP22N60AE-BE3, SIHP25N60EFL-BE3, SIHP23N60E-BE3

Media Disponibile

Scheda tecnica

品名

SIHP25N50E-BE3

Potenza-Max

250W (Tc)

Temperatura di funzionamento

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Tipo FET

N-Channel

FET Caratteristica

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

500 V

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250uA

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

86 nC @ 10 V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1980 pF @ 100 V

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

± 30V

Applicazioni

Di marca

Originale

Calza tempo

3-5day

Indirizzo di consegna

Shenzhen

Imballaggio e consegna

Pacchetto

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