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      Prezzo di fabbrica Photo Transistor 850nm 940nm 3mm 5mm infrarossi Dip Led diodo emettitore ricevitore IR LED diodo

      Ancora nessuna recensione10000 venduto
      Shenzhen Yongerjia Industry Co., Ltd.19 yrsCN

      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      WEJ56APD-K46-DZ
      Marca
      WEJ

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      DIP
      Descrizione
      IR LED 940nm
      Tipo
      Photo Diode
      Punto d'origine
      Guangdong, China
      Tipo del pacchetto
      Through Hole
      Contenitore/Involucro
      DIP
      Serie
      IR LED
      D/c
      /
      Applicazione
      Elevator Door, Infrared Touch Screen
      Tipo Fornitore
      Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore, Other
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
      Tensione di andata massima
      1.7-3.4V
      Tensione d'inversione massima
      5V
      Corrente di andata massima
      15-20mA
      Corrente d'inversione massima
      15-20mA
      Diodo Tipo
      Photo Diode
      Chip material
      Silicon
      Lens color
      Clear, Black
      Range Of Spectral Bandwidth
      700-1000nm
      Wavelength Of Peak Sensitivity
      850nm
      On State Collector Current
      0.7-3.0mA
      Collector-Emitter Voltage
      30V
      Emitter-Collector-Voltage
      5V
      Collector Current
      20mA
      Operating Temperature
      -25-85℃
      Storage Temperature
      -40-100℃

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      A Prova di umidità e anti-statico di energia elettrica
      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      3X5X6 cm
      Peso loro per unità:
      0.010 kg
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