IRF540NPBF transistor a effetto di potenza MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB componente elettronico IRF540NPBF IC CHIP in magazzino

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Shenzhen Zhixin Technology Co., Ltd.3 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

TO-220-3

D/c

New

Tipo Fornitore

Rivenditore, ODM, Produttore originale

Media Disponibile

Foto, Scheda tecnica

品名

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

N-Channel

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

100V

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 25V

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Tipo IGBT

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Imballaggio e consegna

Pacchetto

IRF540NPBF Power Field-Effect Transistors MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Electronic component IRF540NPBF

Orificio

HONGKONG

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Tempo previsto (giorni)	3	Da negoziare

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