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      FGA40N65SMD ad alta potenza 40N65 IGBT transistor 40A 650V TO-3P

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      Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.8 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      FGA40N65SMD
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Punto d'origine
      China
      Contenitore/Involucro
      Standard
      Applicazione
      Common use
      Tipo Fornitore
      Agenzia, Rivenditore, Wholesaler
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Potenza-Max
      Standard
      Frequenza-di Transizione
      Standard
      Temperatura di funzionamento
      Standard
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      Standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard
      Tipo FET
      Standard
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      Standard
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenza
      Standard
      Corrente Nominale (Ampere)
      Standard
      Figura di rumore
      Standard
      Package
      TO-247
      Date Code
      Newest
      Condition
      New and original
      Supplier
      Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.
      Lead Free Status
      Lead free / RoHS Compliant
      Delivery Time
      Within 3 days
      Payment
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      Shenzhen

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