Prezzo di fabbrica di vendita calda barra laser a diodi ad alta potenza 808nm 100W per supporto macrocanale per apparecchiature Laser biomediche

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Jlight Semiconductor Technology Co., Ltd.2 yrs

CN

Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine

Jilin, China

Marca

J light

Numero del Modello

808nm

Tipo

Epitassiale Wafer

Center Wavelength

808nm

Output Power

100W

Operation mode

CW/QCW

Emitter Width

100 μm

Emitter Pitch

200 μm

Bar Width

10000 μm

Cavity Length

1500 μm

Bar Thickness

135μm

Threshold Current

18.5 A

Operating Current

105A

Imballaggio e consegna

Pacchetto

Scatola di cartone

Unità di vendita:

Articolo singolo

Dimensioni della confezione singola:

25X10X25 cm

Peso loro per unità:

1.000 kg

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Tempo previsto (giorni)	10	Da negoziare

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