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Xinkehui carburo di silicio sinterizzato SiC substrato Wafer per semiconduttore
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
Shanghai
Marca
XInkehui
Numero del Modello
customized
Tipo
SiC Wafer
Materiale
SiC singolo cristallo 4H-N tipo
Spessore
0.35-0.5mm
Grado
Manichino/grado di produzione
Superficie
Doppio lato lucido
Diametro
150 ± 0.5mm
Domanda
Test di lucidatura del produttore del dispositivo
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