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TPWR8503NL L1Q transistor N-Channel MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP supporto superficiale SOT-23-3 a-236 fornitore di parti Passive

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
TPWR8503NL L1Q
Tipo
MOSFET
Marca
Original brand
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio

Altri attributi

Tipo di montaggio
Supporto superficiale
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 150A 8dsop
Punto d'origine
Original
Contenitore/Involucro
Anticipo 8-DSOP
Tipo
Moschetti
Temperatura di funzionamento
-55 '''' 150
Serie
TPWR8503NL
D/c
Più recente
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Rivenditore
Croce di Riferimento
-
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
N-canale 30 V 150A (Tc) 800mW
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
1.1A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
55 °C ~ 150 °C (TJ)
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
1mA
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200mOhm @ 1.3A, 10V
Potenza-Max
500mW (Ta)
Frequenza-di Transizione
Standard originale
Temperatura di funzionamento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Base (R1)
Standard originale
Resistenza-Emettitore Base (R2)
0.85mOhm
Tipo FET
Canale N
FET Caratteristica
Standard di
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
30 V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF
Frequenza
-
Corrente Nominale (Ampere)
1.1A
Figura di rumore
Originale
Potenza di Uscita
142 W
-Tensione Nominale
30 V
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs (Max)
20 V
Tipo IGBT
Standard originale
Configurazione
Singolo
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
4.5V 10V
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
6900 pF
Ingresso
Originale
NTC Termistore
-
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Na
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
150 A
Consumo di corrente (Id)-Max
Standard originale 150 A
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
1.3 V
Resistenza-RDS (On)
1 mOhms
Tensione
30 V
Tensione-Uscita
15 V
-Tensione di Offset (Vt)
15 V
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
50A
Corrente-Valle (Iv)
-
Corrente di Picco-Picco
150 A
Applicazioni
Per scopi generali
Tipo di transistore
MOSFET
MOQ
1 bobina
PN
TPWR8503NL,L1Q
Tecnologia
Canale N
Qualità
100% marchio 100% originale
Vgs (Max)
± 20V
Scarico alla tensione sorgente (Vdss)
30 V
Rds su (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 50 a10v
Dissipazione di potenza (Max)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Garanzia
365 giorni
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