Tipo di montaggio
Supporto superficiale
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 150A 8dsop
Contenitore/Involucro
Anticipo 8-DSOP
Temperatura di funzionamento
-55 '''' 150
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Rivenditore
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
N-canale 30 V 150A (Tc) 800mW
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
1.1A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
55 °C ~ 150 °C (TJ)
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
1mA
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200mOhm @ 1.3A, 10V
Frequenza-di Transizione
Standard originale
Temperatura di funzionamento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Base (R1)
Standard originale
Resistenza-Emettitore Base (R2)
0.85mOhm
FET Caratteristica
Standard di
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
30 V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF
Corrente Nominale (Ampere)
1.1A
Figura di rumore
Originale
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
4.5V 10V
Tipo IGBT
Standard originale
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
4.5V 10V
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
6900 pF
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Na
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
150 A
Consumo di corrente (Id)-Max
Standard originale 150 A
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
1.3 V
Resistenza-RDS (On)
1 mOhms
-Tensione di Offset (Vt)
15 V
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
50A
Corrente di Picco-Picco
150 A
Applicazioni
Per scopi generali
Tipo di transistore
MOSFET
Qualità
100% marchio 100% originale
Scarico alla tensione sorgente (Vdss)
30 V
Rds su (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 50 a10v
Dissipazione di potenza (Max)
800mW (Ta), 142W (Tc)