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      TEFT4300 fototransistor 875 a 1000 NM DIP2

      Ancora nessuna recensione
      Shenzhen Tengyuxin Electronics Co., Limited1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      TEFT4300
      Tipo
      TRANSISTOR fotografico
      Marca
      Original Brand
      Tipo del pacchetto
      Tuffo

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Foro passante
      Descrizione
      TRANS NPN
      Punto d'origine
      Original
      Contenitore/Involucro
      DIP2
      Tipo
      Fototransistor 875 a 1000 NM
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C
      Serie
      -
      D/c
      23 +
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Produttore originale
      Croce di Riferimento
      Contattarci
      Media Disponibile
      Scheda tecnica
      品名
      Transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      50 mA
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      70 V
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      250mV @ 10mA,100mA
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      100nA(ICBO)
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      70 @ 100mA,1V
      Potenza-Max
      500 mW
      Frequenza-di Transizione
      200MHz
      Temperatura di funzionamento
      150 °C(TJ)
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      -
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      -
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      --
      Configurazione
      T-Tipo
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      -
      Numero di parte
      TEFT4300
      Pacchetto
      DIP2
      Lead Time
      1 giorno
      Condizione
      100% nuovo e originale
      Spedizione da
      Post DHL \ UPS \ Fedex \ EMS
      Pagamento
      T/T,Western Union, Moneygram, Visa
      Stato
      Disponibile in magazzino
      Garanzia
      1 anno
      Scheda tecnica
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