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NOVA New and Original 60T65 IGBT Transistor Single DIP 60T65PES MBQ60T65PES FGH60T65SQD-F155 Electronic components

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., LtdFornitore a marchio proprio14 yrsCN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
60T65
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo del pacchetto
DIP

Altri attributi

Tipo di montaggio
Through Hole
Descrizione
IGBT Transistor Single DIP
Punto d'origine
Original
Contenitore/Involucro
TO-247-3
D/c
Newest
Applicazione
IGBT Transistor
品名
FGH60T65SQD-F155
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
120A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
650V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
N/A
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
240A
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Potenza-Max
333W
Frequenza-di Transizione
227uJ (on)
Temperatura di funzionamento
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 60A
Ingresso
Standard
Type
Transistor
Condition
In stock
Packaging
Standard Exportation Packing

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 100000 > 100000
Tempo previsto (giorni)20Da negoziare

Personalizzazione

PCBA
Min. ordine: 1
SMT
Min. ordine: 1
PCB
Min. ordine: 1
BOM
Min. ordine: 1

Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

>= 100 parti
115.927 IDR

Varianti

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