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      MRF275G 150W 28V 500MHz RF MOSFET RF transistor

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      MRF275G
      Tipo
      RF TRANSISTOR
      Marca
      Original
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Standard
      Descrizione
      Transistor 150W 28V 500MHz RF MOSFET RF
      Punto d'origine
      Original
      Contenitore/Involucro
      Metallo + ceramica
      Tipo
      Transistor RF MOSFET RF
      Temperatura di funzionamento
      -Da 65 a 150 °C
      Serie
      Dispositivi 28V per frequenze fino a 1 GHz
      D/c
      23 +
      Applicazione
      Alta frequenza
      Tipo Fornitore
      ODM, Agenzia, Rivenditore
      品名
      MRF275G 150W 28V 500MHz RF MOSFET RF transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Potenza-Max
      150W
      Frequenza-di Transizione
      1-500MHz
      Temperatura di funzionamento
      -65 to 150°C
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      Standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard
      Tipo FET
      MOS
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      65V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      26 A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4.5V
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      135 pF
      Frequenza
      1-500MHz
      Corrente Nominale (Ampere)
      26 A
      Figura di rumore
      Standard
      Potenza di Uscita
      150W
      -Tensione Nominale
      28V
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      Standard
      Vgs (Max)
      4.5V
      Tipo IGBT
      Standard
      Configurazione
      Standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Standard
      Ingresso
      Standard
      NTC Termistore
      Standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      ± 40V
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1 mA
      Consumo di corrente (Id)-Max
      26 A
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      65V
      Resistenza-RDS (On)
      Standard
      Tensione
      Standard
      Tensione-Uscita
      Standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      Standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard
      Corrente-Valle (Iv)
      Standard
      Corrente di Picco-Picco
      Standard
      Applicazioni
      Standard
      Tipo di transistore
      MOSFET RF

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      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      15X10X6 cm
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      0.400 kg
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