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MMBT3906LT1G SOT-23 transistor (BJT) originale prodotto genuino circuito integrato tensione di tenuta: 40V corrente: 200mA PNP

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Punto d'origine
China
Marca
original
Numero del Modello
MMBT3906LT1G SOT-23
Tipo di montaggio
MMBT3906LT1G SOT-23
Descrizione
Suitable for low power surface mount applications.
Applicazione
MMBT3906LT1G SOT-23
Tipo
MMBT3906LT1G SOT-23
Serie
MMBT3906LT1G SOT-23
Caratteristiche
MMBT3906LT1G SOT-23
Codice della Data di produzione
MMBT3906LT1G SOT-23
catalogue
Transistor (BJT)
Transistor type
PNP
Collector current (Ic)
200mA
Accumulator breakdown voltage (Vceo)
40V
Power (Pd)
300mW
DC current gain( hFE@Ic (Vce)
100@10mA,1V
Characteristic frequency (fT)
250MHz
Collector emitter saturation voltage
400mV@5mA,50mA
operation temperature
-55℃~+150℃@(Tj)

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Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
10X10X10 cm
Peso loro per unità:
0.100 kg

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