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      Jeking nuovi e originali BJTs-transistor bipolari SOT-23-3 MMBT5401L MMBT5401LT1G

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Fornitore multi-specialità9 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      MMBT5401LT1G
      Tipo
      Transistor bipolari-BJT
      Marca
      Original
      Tipo del pacchetto
      -

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      SMD/SMT
      Descrizione
      Transistor bipolari-BJT SS HV XSTR PNP 150V
      Punto d'origine
      Original
      Contenitore/Involucro
      Bobina/nastro tagliato
      Tipo
      BJTs-transistor bipolari
      Temperatura di funzionamento
      + 150 C, -55 C
      Serie
      MMBT5401L
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore, Altro
      品名
      Nuovo e originale
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Potenza-Max
      Standard
      Frequenza-di Transizione
      Standard
      Temperatura di funzionamento
      Standard
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      Standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      Standard
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenza
      Standard
      Corrente Nominale (Ampere)
      Standard
      Figura di rumore
      Standard
      Potenza di Uscita
      Standard
      -Tensione Nominale
      Standard
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      Standard
      Vgs (Max)
      Standard
      Tipo IGBT
      Standard
      Configurazione
      Standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Standard
      Ingresso
      Standard
      NTC Termistore
      Standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Standard
      Resistenza-RDS (On)
      Standard
      Tensione
      Standard
      Tensione-Uscita
      Standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      Standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard
      Corrente-Valle (Iv)
      Standard
      Corrente di Picco-Picco
      Standard
      Applicazioni
      Per scopi generali
      Tipo di transistore
      Transistor bipolari-BJT
      Categoria di prodotti
      Transistor bipolari-BJT
      Sottocategoria
      Transistor
      Tensione emettitore-Base VEBO
      160 V
      Collettore-emettitore tensione VCEO Max
      150 V
      Corrente massima del collettore CC
      500 mA
      Pd-dissipazione di potenza
      225 mW
      Temperatura massima di esercizio
      + 150 C
      Guadagna larghezza di banda del prodotto fT
      300 MHz
      Stile di montaggio
      SMD/SMT
      Tensione di saturazione collettore-emettitore
      500 mV
      Mostra di più

      Tempi di consegna

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      Tempo previsto (giorni)3Da negoziare

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