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      Jeking EMT1DXV6 transistor bipolari 100mA 60V Dual PNP SOT-563-6 EMT1DXV6T1G

      Ancora nessuna recensione
      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Fornitore multi-specialità9 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      EMT1DXV6T1G

      Tipo
      Transistor bipolare

      Marca
      -

      Tipo del pacchetto
      -

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      -

      Descrizione
      -

      Punto d'origine
      Guangdong, China

      Contenitore/Involucro
      -

      Tipo
      -

      Temperatura di funzionamento
      -

      Serie
      -

      D/c
      -

      Applicazione
      -

      品名
      EMT1DXV6T1G

      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      -

      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      -

      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -

      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      -

      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -

      Potenza-Max
      -

      Frequenza-di Transizione
      -

      Temperatura di funzionamento
      -

      Tipo di Ontaggio
      -

      Resistenza-Base (R1)
      -

      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -

      Tipo FET
      -

      FET Caratteristica
      -

      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -

      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -

      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -

      Vgs (th) (Max) @ Id
      -

      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -

      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -

      Frequenza
      -

      Corrente Nominale (Ampere)
      -

      Figura di rumore
      -

      Potenza di Uscita
      -

      -Tensione Nominale
      -

      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -

      Vgs (Max)
      -

      Tipo IGBT
      -

      Configurazione
      -

      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -

      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -

      Ingresso
      -

      NTC Termistore
      -

      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -

      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Consumo di corrente (Id)-Max
      -

      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -

      Resistenza-RDS (On)
      -

      Tensione
      -

      Tensione-Uscita
      -

      -Tensione di Offset (Vt)
      -

      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -

      Corrente-Valle (Iv)
      -

      Corrente di Picco-Picco
      -

      Applicazioni
      -

      Tipo di transistore
      -

      Numero di parte
      EMT1DXV6T1G

      Tipo di Transistor
      PNP

      Configurazione:
      Doppio

      Pd-dissipazione di potenza:
      357 mW

      Pacchetto/custodia
      SOT-563-6

      Corrente continua del collettore:
      -100 mA

      Guadagna larghezza di banda del prodotto fT:
      140 MHz

      Emitter- Base di tensione VEBO:
      6 V

      Temperatura massima di funzionamento:
      + 150 C

      Categoria
      BJT

      Imballaggio e consegna

      Unità di vendita:
      Articolo singolo

      Dimensioni della confezione singola:
      0.02X0.02X0.02 cm

      Peso loro per unità:
      0.020 kg

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      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 100000 > 100000
      Tempo previsto (giorni)2Da negoziare

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