Tipo di montaggio
Foro passante
Descrizione
Transistor bipolari-BJT
Contenitore/Involucro
Tubo
Tipo
BJTs-transistor bipolari
Temperatura di funzionamento
+ 150 C
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore, Altro
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
Standard
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
Standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Standard
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
Standard
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Frequenza-di Transizione
Standard
Temperatura di funzionamento
Standard
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Resistenza-Base (R1)
Standard
Resistenza-Emettitore Base (R2)
Standard
FET Caratteristica
Standard di
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
Standard
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Corrente Nominale (Ampere)
Standard
Potenza di Uscita
Standard
-Tensione Nominale
Standard
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
Standard
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
Standard
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Standard
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Consumo di corrente (Id)-Max
Standard
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
Standard
Resistenza-RDS (On)
Standard
-Tensione di Offset (Vt)
Standard
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
Standard
Corrente-Valle (Iv)
Standard
Corrente di Picco-Picco
Standard
Applicazioni
Per scopi generali
Tipo di transistore
Transistor bipolari-BJT
Categoria di prodotti
Transistor bipolari-BJT
Tensione emettitore-Base VEBO
7 V
Collettore-emettitore tensione VCEO Max
250 V
Corrente massima del collettore CC
Standard
Pd-dissipazione di potenza
180 W
Temperatura massima di esercizio
+ 150 C
Guadagna larghezza di banda del prodotto fT
Standard
Stile di montaggio
Foro passante
Tensione di saturazione collettore-emettitore
800 mV