Punto d'origine
Guangdong, China
Materiale del circuito integrato
InGaN
Intensità luminosa
1000-4000 mW
Flusso luminoso (lm)
1000-4000 mW
Dispersione di potere
3000
Indice di rappresentazione di colore (Ra)
0
Temperatura di colore
810nm 850nm 940nm
Temperatura di funzionamento (℃)
-20 - 70
Temperatura di immagazzinaggio (℃)
-20 - 100
Product name
810nm 850nm 940nm 8W 5050 IR LED SMD
Chip Brand
Epileds 42mil Chip
Wavelength
810nm 850nm 940nm
Light Color
Far Infrared Red
Application
Security Monitoring, Infrared Projector, IRIS recognition