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Chip Laser a barra a diodi ad alta potenza 808nm 50W 100W 200W per apparecchiature Laser biomediche

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Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
Jilin, China
Marca
J light
Numero del Modello
808nm
Tipo
Epitassiale Wafer
Lunghezza d'onda centrale
808nm
Potenza di uscita
50W 100W 200W
Modalità di funzionamento
CW/QCW
Larghezza dell'emettitore
130 μm
Piazzola dell'emettitore
500 μm
Larghezza della barra
10000 μm
Lunghezza della cavità
1000 μm
Spessore della barra
135μm
Corrente di soglia
7 A
Corrente di funzionamento
49A

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Scatola di cartone
Orificio
dalian tianjin
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
25X10X25 cm
Peso loro per unità:
1.000 kg

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura
10000 Parte/parti per Month

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 2000 > 2000
Tempo previsto (giorni)15Da negoziare
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Campioni

Quantità massima d'ordine: 20 parte
Prezzo del campione:
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wavelength
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Min. ordine: 1000

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