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Ad alta Velocità, A bassa Tensione MOSFET a Canale N 80V TK100E08N1 K100E08N1
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Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm
5 yrs
CN
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
TK100E08N1
Tipo
Transistor
Marca
/
Tipo del pacchetto
Attraverso il Foro
Altri attributi
Punto d'origine
China
D/c
20 +
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia
Croce di Riferimento
/
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
MOSFET
Temperatura di funzionamento
150 °C (TJ)
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Tipo di prodotto
MOSFET
Modalità di funzionamento
MODALITÀ di MIGLIORAMENTO
Tipo di transistore
1 N-Channel
Serie
TK100E08N1
Transistor Polarità
N-Channel
Categoria di prodotto
MOSFET
Dissipazione di potenza-Max
255 W
Imballaggio e consegna
Orificio
shenzhen
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
10X5X8 cm
Peso loro per unità:
0.001 kg
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
10000 Parte/parti per Week
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1 - 100
> 100
Tempo previsto (giorni)
2
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Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm
5 anni
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