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Potenza iperfet MOSFET IXDN55N120P1 IXDN55N120D1 IXDN 55N 120 d1 IXDN75N120 IXDN75N120A IXDN55N120
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Beijing Jxf Electronics Co., Ltd.
11 yrs
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Contenitore/Involucro
Modulo
Tipo di montaggio
Supporto per telaio
Descrizione
MOSFET
Numero del Modello
IXDN55N120P1
Punto d'origine
Italy
Marca
IX.YS
Tipo
Transistor ad effetto di campo
Specifiche
55A/1200V/MOS/1U
Vces
600V
Pacchetto/custodia
SOT-227 B
Condizione
Nuovo di zecca
Garanzia di qualità
90 giorni
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