GalnP2/InGaAs tripla giunzione celle solari con la stabilità prestazioni GaAs

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Nanjing Hemu International Trade Co., Ltd.4 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Tipo

Perc, MWT, IBC, HJT, hbc, N-TYPE, TOPCON

Efficienza della cella

40%

Altri attributi

Punto d'origine

China

Marca

OEM

Numero del Modello

10*10mm

Thickness of front contact

~6μm.

Thickness of back contact

~4μm

Base Material

GalnP2/InGaAs/

Polarity

N on P

Cell Thickness

175,20μm

Active Cell Area

25 mm2

Chip Size

5.1X6 mm2,0.01mm2

AR coating

TiO,JAl2O3

Warranty

Other

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Articolo singolo

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