Transistor DBA200UA60 diodi Mosfet IGBT modulo di potenza DBA100UA40 DBA200UA40 DBA100UA60

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Shenzhen Antech Century Technology Co., Ltd.8 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

DBA200UA60

Tipo

MOSFET

Marca

ORIGINAL

Tipo del pacchetto

Modulo IGBT

Altri attributi

Tipo di montaggio

Descrizione

Modulo IGBT

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

Modulo IGBT

Tipo

Modulo IGBT

Temperatura di funzionamento

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Serie

DBA200UA60

D/c

Nuovo

Applicazione

Del driver MOSFET

Tipo Fornitore

Rivenditore, Altro

Croce di Riferimento

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

Modulo IGBT

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

120A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

600V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

N/A

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

N/A

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/A

Potenza-Max

600W

Frequenza-di Transizione

N/A

Resistenza-Base (R1)

N/A

Resistenza-Emettitore Base (R2)

N/A

Tipo FET

N/A

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

N/A

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

N/A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

N/A

Vgs (th) (Max) @ Id

N/A

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

N/A

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

N/A

Frequenza

N/A

Corrente Nominale (Ampere)

N/A

Figura di rumore

N/A

Potenza di Uscita

N/A

-Tensione Nominale

N/A

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

N/A

Vgs (Max)

N/A

Tipo IGBT

Fermo campo

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

N/A

Ingresso

N/A

NTC Termistore

N/A

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

N/A

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/A

Consumo di corrente (Id)-Max

N/A

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

N/A

Resistenza-RDS (On)

N/A

Tensione

N/A

Tensione-Uscita

N/A

-Tensione di Offset (Vt)

N/A

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

N/A

Corrente-Valle (Iv)

N/A

Corrente di Picco-Picco

N/A

Applicazioni

N/A

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