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      Cina Chip IGBT Transistor wafer 1200V 40A basso EMI per UPS convertitori e inverter

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      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      AKGW40T120S1
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Aiko
      Tipo del pacchetto
      Dado nudo

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Inserire
      Descrizione
      Tecnologia FS trincea, VCE basso (sat), Basso EMI
      Punto d'origine
      China
      Contenitore/Involucro
      Dado nudo
      Tipo
      Cialda IGBT
      Temperatura di funzionamento
      -40 ℃ ~ + 175 ℃
      Applicazione
      Alta frequenza
      Tipo Fornitore
      Produttore originale
      Media Disponibile
      Scheda tecnica
      品名
      CHIP a TRANSISTOR
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      40A
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      1200V
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      2.15V
      Temperatura di funzionamento
      -40℃~+175℃
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      80 bis
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      230nC
      Corrente Nominale (Ampere)
      40A
      -Tensione Nominale
      1200V
      Tipo IGBT
      Trench-FS
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      2720pF
      Applicazioni
      Per scopi generali
      Tipo di transistore
      Cialda IGBT
      Dimensione del Wafer
      8 pollici
      Spessore del Wafer
      120 ± 10um
      Dado lordo
      610
      Linea di Scribe
      80um
      Corrente del collettore pulsato
      160A
      VCE(sat) a Ic = 40
      1.85V
      Tsc
      20us
      VGE(th)
      5.8V
      Cie
      2720pF
      Qg
      230nC

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Palstici in espanso/sacchetti antistatici/cartone
      Mostra di più

      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 100101 - 1000 > 1000
      Tempo previsto (giorni)2030Da negoziare

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