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      BSS123N H6327 transistor nuovi e originali Mosfet N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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      Shenzhen Han Disen Technology Co., Ltd.9 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      BSS123N H6327
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      In
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Descrizione
      Transistors Mosfet N-Ch 100V 190mA
      Punto d'origine
      United States
      D/c
      New
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Other
      Media Disponibile
      Scheda tecnica
      品名
      BSS123N H6327
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      /
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      /
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      190mA
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      /
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      /
      Potenza-Max
      /
      Frequenza-di Transizione
      /
      Temperatura di funzionamento
      -55 to 150
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Frequenza
      /
      Corrente Nominale (Ampere)
      /
      Figura di rumore
      //
      Potenza di Uscita
      /
      -Tensione Nominale
      /
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      /
      Vgs (Max)
      /
      Tipo IGBT
      /
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      /
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      /
      Ingresso
      /
      NTC Termistore
      /
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      /
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Consumo di corrente (Id)-Max
      /
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      /
      Resistenza-RDS (On)
      /
      Tensione
      /
      Tensione-Uscita
      /
      -Tensione di Offset (Vt)
      /
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      /
      Applicazioni
      //
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