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Transistor LDMOS di potenza RF A2T09D400-23NR6
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Shenzhen Chuangyijia Technology Co., Ltd.
1 yr
CN
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
A2T09D400-23NR6
Tipo
RF TRANSISTOR
Marca
Original
Tipo del pacchetto
Through Hole
Altri attributi
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Descrizione
RF Mosfet 28 V 1.2 A 716MHz ~ 960MHz 17.8dB 400W OM-1230-4L2S
Punto d'origine
Malaysia
Contenitore/Involucro
OM-1230-4L2S
Tipo
RF Power MOSFET
D/c
17+
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Rivenditore
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
Transistors
Temperatura di funzionamento
standard
Tipo di Ontaggio
Telaio di Montaggio
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
500 mV, 70 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5 V
Frequenza
716MHz~960MHz
Corrente Nominale (Ampere)
10uA
Figura di rumore
standard
Potenza di Uscita
400W
-Tensione Nominale
70V
Vgs (Max)
- 6 V, 10 V
Consumo di corrente (Id)-Max
2.7 A
Applicazioni
standard
Tipo di transistore
LDMOS FET
Imballaggio e consegna
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
3.5X2.5X0.5 cm
Peso loro per unità:
0.100 kg
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Tempi di consegna
Quantità (parti)
1 - 10
> 10
Tempo previsto (giorni)
10
Da negoziare
Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore
10 - 99 parti
9.736,80 RUB
100 - 149 parti
9.040,39 RUB
>= 150 parti
8.333,02 RUB
Quantità
-
+
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