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Barre del laser a diodi 808nm per la pila del modulo

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Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
Jilin, China
Marca
J light
Numero del Modello
808nm
Tipo
Epitassiale Wafer
Lunghezza d'onda centrale
808nm
Potenza di uscita
50W 100W 200W
Modalità di funzionamento
CW/QCW
Larghezza dell'emettitore
130 μm
Pitch emettitore
500 μm
Larghezza della barra
10000 μm
Lunghezza della cavità
1000 μm
Spessore della barra
135μm
Soglia corrente
7 A
Corrente di funzionamento
49A

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Scatola di cartone
Orificio
dalian tianjin
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
25X10X25 cm
Peso loro per unità:
1.000 kg

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura
10000 Parte/parti per Month

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 2000 > 2000
Tempo previsto (giorni)15Da negoziare
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Campioni

Quantità massima d'ordine: 20 parte
Prezzo del campione:
18,70 €/parte

Personalizzazione

wavelength
Min. ordine: 1000
output power
Min. ordine: 1000

Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

Quantità minima d'ordine: 100 parti
9,33 € - 46,72 €

Varianti

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