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Barre di silicio monocristallino di alta qualità da 8 pollici
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Suzhou Henglixin New Material Co., Ltd.
1 yr
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
Jiangsu, China
Marca
henglixin
Numero del Modello
N and P
Tipo
Wafer di silicio
Growth method
CZ or MCZ
Crystal orientation
100
Deviation of crystal orientation
0 ± 1°
Dopants
phosphorus
Resistivity (Ω.cm)
1-100 or >100
Radial resistivity change
<15%@6mm
Oxygen content (ppma)
8-18(New ASTM)
Change in radial oxygen content
<10%@10mm
Carbon content (ppma)
≤1
Dislocation density (pcs/cm2)
0
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2 - 100
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