Transistor IGBT 60 t65 Single DIP 60 t65pes MBQ60T65PES FGH60T65SQD-F155

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Produttore di prodotti personalizzati3 yrs

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

60T65

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo del pacchetto

DIP

Altri attributi

Tipo di montaggio

Through Hole

Descrizione

IGBT Transistor Single DIP

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

TO-247-3

D/c

New

Applicazione

IGBT Transistor

Croce di Riferimento

MBQ60T65PES, FGY160T65SPD-F085, FGH60T65SQD-F155, FGH60T65SHD-F155, AFGY160T65SPD-B4

品名

FGH60T65SQD-F155

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

120A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

650V

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

240A

Potenza-Max

333W

Frequenza-di Transizione

227uJ (on)

Temperatura di funzionamento

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Ingresso

Standard

Switching Energy

227uJ (on), 100uJ (off)

Gate Charge

79 nC

Td (on/off) @ 25℃

20.8ns/102ns

Test Condition

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6 ns

Imballaggio e consegna

Pacchetto

Nuovo e Originale, sigillato in fabbrica di imballaggio, esso sarà pacchetto in uno di questi tipo di imballaggio: tubo, Vassoio, Nastro e Bobina, Nastro e la Scatola, imballaggio All'ingrosso, Borsa e ecc. Si prega gentilmente di contattarci per maggiori dettagli.

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