NOVA Original 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT Transistor FGH60N60 FGH60N60UFDTU FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD Electronic components

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd

Fornitore a marchio proprio14 yrs

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

FGH60N60

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

Through Hole

Descrizione

Transistor FGH60N60

Punto d'origine

Original

Contenitore/Involucro

TO-247-3

Tipo

Discrete Semiconductor Products

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

Transistors

D/c

New

Tipo Fornitore

Other

Media Disponibile

Other

品名

FGH60N60

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

120 A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

600 V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Potenza-Max

298 W

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Brand

Original

Stocking time

3-5day

delivery address

shenzhen

Gate Charge

188 nC

Td (on/off) @ 25°C

23ns/130ns

Test Condition

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47 ns

Imballaggio e consegna

Pacchetto

Nuovo e Originale, sigillato in fabbrica di imballaggio, esso sarà pacchetto in uno di questi tipo di imballaggio: tubo, Vassoio, Nastro e Bobina, Nastro e la Scatola, imballaggio All'ingrosso, Borsa e ecc. Si prega gentilmente di contattarci per maggiori dettagli.

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