1000a 30v N-CHANNEL MOSFET di potenza in silicone Transistor 2 sk3523 Irfp260n Mosfet 1000a Mosfet di potenza

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Shenzhen Chenpeng Trading Co., Ltd.2 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

diode transistors

Tipo

MOSFET

Marca

original

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Descrizione

Standard di

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

D/c

22 +

Applicazione

Non Applicabile

Tipo Fornitore

Produttore originale

Media Disponibile

Scheda tecnica

品名

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

Tipo di Ontaggio

Non Applicabile

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

FET Caratteristica

Non Applicabile

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Configurazione

Non Applicabile

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Capacità di fornitura

50000 Parte/parti per Week

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Tempo previsto (giorni)	3	5	Da negoziare

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