| Processo di fabbricazione | 0.09 micron SOI |
| Larghezza di dati | bit 64 |
| Numero dei centri | 2 |
| Unità di virgula mobile | Integrato |
| Formato del nascondiglio del Livello 1 | nascondiglio associativo bidirezionale di istruzione dei 2 x 64 Kb un nascondiglio associativo bidirezionale di 2 x 64 dati del Kb |
| Formato del nascondiglio del Livello 2 | 2 x 1 nascondiglio associativo di senso di esclusiva 16 di mb |
| Memoria fisica | 1 TB |
| Memoria virtuale (TB) | 256 |
| Multielaborazione | Fino a 2 unità di elaborazione |
| Caratteristiche |
|
| Caratteristiche di potere basso |
|
| unità periferiche del Su-circuito integrato |
|
| Parametri elettrici/termici | |
| V il centro (v) | 1.3/1.35 |
| Temperatura di funzionamento minima/massima (°C) | 0 - 55 - 72 |
| Potere termico di disegno (w) | 95 |
Taiwan
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