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diodi di 650nm 10mW LD

Punto d'origine: China
Numero di modello: 650nm 10mW LD
Termini di pagamento: T/T,Western Union,MoneyGram
Quantità di ordine minimo: 50 Piece/Pieces
Abilità del rifornimento: 100000 Piece/Pieces per Mese
Termine di consegna: 2-3days

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Caratteristiche e Specifiche di diodi di 650nm 10mW LD

Applicazione:

Indicatore

Esame

Fotographia medica

Caratteristica:

Luce visibile: 650±10nm

Singolo modo

funzionamento a temperatura elevata 50

alta affidabilità per tempo di vita 5000h

Specifica principale:

Corrente di funzionamento e della soglia

650nm 10mw: Ith<15mA, Iop<30mA

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Dettagli di contatto

China

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di laser a semiconduttore di 1550 nanometro F-P

Caratteristiche elettriche ed ottiche (CW @ Tc=25'c)

635nm 5mw LD

1) Luce visibile: 635 2) Singolo modo 3) alta affidabilità per fotographia medica di tempo di vita 5000h 4)

di laser a semiconduttore 980nm

Caratteristico Alto pacchetto TO-18 standard o TO-5 di efficienza di conversione

di laser a semiconduttore di 830nm 500mw

1) Potere dell'uscita: 0.2w (CW) 2) Varietà di larghezza della banda 3) La struttura efficiente del pozzo di quantum 4) da impaccare o C-Monta il pacchetto

diodo di 1550nm FP LED

Caratteristiche elettriche ed ottiche

di laser a semiconduttore di 830nm 500mw

1) Potere dell'uscita: 0.2w (CW) 2) Varietà di larghezza della banda 3) La struttura efficiente del pozzo di quantum 4) da impaccare o C-Monta il pacchetto

di laser a semiconduttore 650nm 300mw

di laser a semiconduttore 650nm 300mw alta affidabilità per l'applicazione di tempo di vita 5000h: Indicatore Indicatore Esame

1310nm DFB 5mW LD

MQW 1310nm DFB LD 1) Corrente bassa della soglia 2) Potere ad alto rendimento 3) Il palladio incorporato del monitor di InGaAsP 4) largamente tempera

di laser a semiconduttore 980nm 300mw

1) Potere ottico dell'uscita più 2) di alta efficienza di conversione 300mw (CW) 3) Pacchetto standard TO-18 o TO-5

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