1. La struttura di moduli a semiconduttore comprende le coperture di plastica, elettrodo di rame puro e superficie posteriore, circuiti integrati di ceramica, bulloni ecc.
2. Corrente di andata media SE (avoirdupois): 55A-1000A;
3. Tensione d'inversione di punta ripetuta VRRM: 600-2000V;
4. Tensione della prova di isolamento (R.M.S) VISO: 2500V
Moduli di misura di pressa, struttura di modulo del diodo di raddrizzatore, raddrizzatore a diodo, modulo del diodo, modulo del raddrizzatore, modulo a semiconduttore di potere, modulo dell'SCR, SCR, modulo del tiristore, raddrizzatore del tiristore, modulo di potere, modulo elettronico, modulo a semiconduttore, modulo del raddrizzatore, modulo elettrico, modulo del diodo di raddrizzatore, raddrizzatore a ponte, diodo di raddrizzatore, ponticello di raddrizzatore, raddrizzatore a semiconduttore, semiconduttore di potere, ponticello del diodo, raddrizzatore a ponte del diodo, diodo di potere, modulo del ponticello, elettronica di potere,
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