Modulo Di Memoria Di DDR2 800MHz Fabbricanti e Fornitori da Alibaba.com

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Modulo di memoria di DDR2 800MHz

  • Termini di pagamento: T/T,Western Union
  • Quantità di ordine minimo: 200 Piece/Pieces
  • Abilità del rifornimento: 400000 Piece/Pieces per Mese
  • Pacchetto: Imballaggio al dettaglio: 50pcs/inner scatola, 500pcs/carton
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Caratteristiche e Specifiche di Modulo di memoria di DDR2 800MHz

Specifica (modulo di memoria di DDR2 800MHz):

1) DDR2 800MHz a 533MHz

2) tipo dello zoccolo dei 240 perni doppio nella linea modulo di memoria (DIMM)

3) alimentazione elettrica senza piombo 1.8V

4) tasso di dati: 800Mhz/667Mbps/533Mbps

5) compatibile) ingresso/uscita 1.8V (SSTL-18

6) architettura di Doppio-dato-tasso: due trasferimenti di dati per ciclo di orologio

7) lo stroboscopio bidirezionale e differenziale di dati (DQS e /DQS) è trasmesso/ricevuto con i dati, 

    per essere utilizzato nella cattura dei dati alla ricevente

8) DQS è il bordo stato allineato rispetto ai dati per lettura: centro stato allineato rispetto ai dati per scrittura

9) input di orologio differenziale (le CK e /CK)

10) il DLL allinea le transizioni di DQS e di DQ con le transizioni delle CK

11) Comandi introdotti su ogni bordo positivo delle CK: dati e mascherina di dati riferita ad entrambi i bordi di DQS

12) Quattro banche interne per l'operazione simultanea (componente)

13) I dati mascherano (dm) per redigono i dati

14) Lunghezze di scoppio: 4, 8

15) Stato latente di CAS (CL): 3, 4, 5

16) Il funzionamento auto di precarica per ciascuno ha scoppiato l'accesso

17) L'automobile rinfresca e l'auto rinfresca i modi

18) periodici medii 7.8us rinfrescano l'intervallo

19) CAS inviato da stato latente cumulativo programmabile per migliore efficienza del canale omnibus di dati e di ordine

) registrazione e su-morire-termine di impedenza del Fuori-circuito-driver 20 per migliore qualità di segnale

21) DQS può essere disabile per il funzionamento asimmetrico dello stroboscopio di dati 

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